NVHL080N120SC1
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | NVHL080N120SC1 |
Descripción: | SIC MOS TO247-3L 80MW 120 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Tipo FET | N-Channel |
Vgs (máx.) | +25V, -15V |
Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-247-3 |
Vgs(th) (Max) - Id | 4.3V @ 5mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 110mOhm @ 20A, 20V |
Disipación de energía (máx.) | 348W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | TO-247-3 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 56nC @ 20V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 1200V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1670pF @ 800V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 44A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
En stock 178 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$15.66 | $15.35 | $15.04 |
Mínimo: 1