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NVD4809NHT4G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: NVD4809NHT4G
Descripción: MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DPAK-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 44nC @ 11.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2155pF @ 12V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9A (Ta), 58A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V

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