La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

NVATS4A101PZT4G

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	NVATS4A101PZT4G
Descripción:	MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	P-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id	2.6V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	30mOhm @ 13A, 10V
Disipación de energía (máx.)	36W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	ATPAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	18.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	875pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	27A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V