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NTMJS2D5N06CLTWG

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: NTMJS2D5N06CLTWG
Descripción: MOSFET N-CH 60V 155A
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerSMD, Gull Wing
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 135µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2.4mOhm @ 50A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3.9W (Ta), 113A (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-LFPAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 52nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3600pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3.9A (Ta), 113A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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