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NTMFS4H02NT3G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: NTMFS4H02NT3G
Descripción: MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.4mOhm @ 30A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3.13W (Ta), 83W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 38.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2651pF @ 12V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 37A (Ta), 193A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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