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NTMFS4H013NFT3G

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	NTMFS4H013NFT3G
Descripción:	MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id	2.1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	0.9mOhm @ 30A, 10V
Disipación de energía (máx.)	2.7W (Ta), 104W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	56nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	3923pF @ 12V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	43A (Ta), 269A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V