Image is for reference only , details as Specifications

NTMFS4C10NBT1G

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	NTMFS4C10NBT1G
Descripción:	MOSFET N-CH 30V 16.4A 46A 5DFN
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerTDFN, 5 Leads
Vgs(th) (Max) - Id	2.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	6.95mOhm @ 30A, 10V
Disipación de energía (máx.)	2.51W (Ta), 23.6W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	18.6nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	987pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	16.4A (Ta), 46A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V