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NTMFD4C88NT1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: NTMFD4C88NT1G
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Característica FET Standard
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 1.1W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 5.4mOhm @ 10A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-DFN (5x6)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 22.2nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1252pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 11.7A, 14.2A

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