NTMD6P02R2SG
Fabricantes: | ON Semiconductor |
---|---|
Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | NTMD6P02R2SG |
Descripción: | MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | ON Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | - |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Estado de la pieza | Obsolete |
Potencia - Máx. | 750mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Número de pieza base | NTMD6P02 |
Vgs(th) (Max) - Id | 1.2V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 33mOhm @ 6.2A, 4.5V |
Paquete de dispositivos de proveedores | 8-SOIC |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 35nC @ 4.5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1700pF @ 16V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 4.8A |
En stock 58 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1