NTLJS1102PTBG
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | NTLJS1102PTBG |
Descripción: | MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | P-Channel |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Vgs (máx.) | ±6V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Vgs(th) (Max) - Id | 720mV @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 36mOhm @ 6.2A, 4.5V |
Disipación de energía (máx.) | 700mW (Ta) |
Paquete de dispositivos de proveedores | 6-WDFN (2x2) |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 25nC @ 4.5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1585pF @ 4V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 3.7A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
En stock 62 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1