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NTLJD3182FZTBG

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: NTLJD3182FZTBG
Descripción: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-WDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 710mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 6-WDFN (2x2)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 7.8nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 450pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

En stock 92 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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