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NTHL080N120SC1

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: NTHL080N120SC1
Descripción: SIC MOS TO247 80MW 1200V
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Vgs (máx.) +25V, -15V
Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id 4.3V @ 5mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 110mOhm @ 20A, 20V
Disipación de energía (máx.) 348W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 56nC @ 20V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1670pF @ 800V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 44A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 20V

En stock 443 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$17.64 $17.29 $16.94
Mínimo: 1

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