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NTHL080N120SC1

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	NTHL080N120SC1
Descripción:	SIC MOS TO247 80MW 1200V
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Vgs (máx.)	+25V, -15V
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id	4.3V @ 5mA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	110mOhm @ 20A, 20V
Disipación de energía (máx.)	348W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-247-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	56nC @ 20V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	1200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	1670pF @ 800V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	44A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	20V