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NTHD4P02FT1G

Fabricantes:	ON Semiconductor
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	NTHD4P02FT1G
Descripción:	MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	ON Semiconductor
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	P-Channel
Empaquetado	Digi-Reel®
Vgs (máx.)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	Schottky Diode (Isolated)
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) - Id	1.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	155mOhm @ 2.2A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	1.1W (Tj)
Paquete de dispositivos de proveedores	ChipFET™
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	6nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	300pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	2.2A (Tj)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V