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NTHD2102PT1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: NTHD2102PT1G
Descripción: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Empaquetado Cut Tape (CT)
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 1.1W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SMD, Flat Lead
Número de pieza base NTHD2102P
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 58mOhm @ 3.4A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores ChipFET™
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 16nC @ 2.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 715pF @ 6.4V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3.4A

En stock 90 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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