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NTGS1135PT1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: NTGS1135PT1G
Descripción: MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±6V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-23-6
Vgs(th) (Max) - Id 850mV @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 31mOhm @ 4.6A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 970mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 6-TSOP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 21nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2200pF @ 6V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V

En stock 82 pcs

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