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NTGD4169FT1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: NTGD4169FT1G
Descripción: MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-23-6
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -25°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 900mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 6-TSOP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 5.5nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 295pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

En stock 72 pcs

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