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NTD4960N-35G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: NTD4960N-35G
Descripción: MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 8mOhm @ 30A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.07W (Ta), 35.71W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores I-PAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 22nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1300pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8.9A (Ta), 55A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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