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NTD3055L170-1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: NTD3055L170-1G
Descripción: MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±15V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 170mOhm @ 4.5A, 5V
Disipación de energía (máx.) 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Paquete de dispositivos de proveedores I-PAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 10nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 275pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 5V

En stock 70 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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