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NSVMUN5212DW1T1G
| Fabricantes: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Ficha técnica: | NSVMUN5212DW1T1G |
| Descripción: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Serie | - |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 250mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Número de pieza base | MUN52**DW1T |
| Resistencia - Base (R1) | 22kOhms |
| Frecuencia - Transición | - |
| Paquete de dispositivos de proveedores | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Resistencia - Base emisora (R2) | 22kOhms |
| Vce Saturation (Max) - Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 100mA |
| Corriente - Corte del colector (máx.) | 500nA |
| Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
En stock 29750 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
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Mínimo: 1
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