NSVMMUN2232LT1G
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Ficha técnica: | NSVMMUN2232LT1G |
Descripción: | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Serie | - |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 246mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Número de pieza base | MMUN22**L |
Resistencia - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Paquete de dispositivos de proveedores | SOT-23-3 (TO-236) |
Resistencia - Base emisora (R2) | 4.7 kOhms |
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 100mA |
Corriente - Corte del colector (máx.) | 500nA |
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce | 15 @ 5mA, 10V |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
En stock 21585 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1