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NSVMMUN2232LT1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: NSVMMUN2232LT1G
Descripción: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 246mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Número de pieza base MMUN22**L
Resistencia - Base (R1) 4.7 kOhms
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-23-3 (TO-236)
Resistencia - Base emisora (R2) 4.7 kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 15 @ 5mA, 10V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 21585 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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