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NSVIMD10AMT1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica: NSVIMD10AMT1G
Descripción: SURF MT BIASED RES XSTR
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie Automotive, AEC-Q101
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 285mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistencia - Base (R1) 13kOhms, 130Ohms
Frecuencia - Transición -
Paquete de dispositivos de proveedores SC-74R
Resistencia - Base emisora (R2) 10kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 500mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 2999 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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