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NSVDTA114YM3T5G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: NSVDTA114YM3T5G
Descripción: TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie Automotive, AEC-Q101
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 260mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-723
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Resistencia - Base (R1) 10 kOhms
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-723
Resistencia - Base emisora (R2) 47 kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 96 pcs

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