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NSVBSP19AT1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica: NSVBSP19AT1G
Descripción: TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 800mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-261-4, TO-261AA
Tipo de transistor NPN
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 70MHz
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-223 (TO-261)
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 500mV @ 4mA, 50mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 20nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 40 @ 20mA, 10V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 350V

En stock 70 pcs

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