Image is for reference only , details as Specifications

NSVB123JPDXV6T1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica: NSVB123JPDXV6T1G
Descripción: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 500mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-563, SOT-666
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistencia - Base (R1) 2.2kOhms
Frecuencia - Transición -
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-563
Resistencia - Base emisora (R2) 4.7kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 89 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

PBLS4004V,115
NXP USA Inc.
$0
PBLS4002V,115
NXP USA Inc.
$0
PBLS2001S,115
NXP USA Inc.
$0
BCR 48PN H6727
Infineon Technologies
$0
BCR 22PN H6727
Infineon Technologies
$0