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NSV60101DMR6T1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Ficha técnica: NSV60101DMR6T1G
Descripción: 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie Automotive, AEC-Q101
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 530mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tipo de transistor 2 NPN (Dual)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 200MHz
Paquete de dispositivos de proveedores SC-74
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 200mV @ 100mA, 1A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 1A
Corriente - Corte del colector (máx.) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 250 @ 100mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 60V

En stock 57 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.14 $0.14 $0.13
Mínimo: 1

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