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NSV60101DMR6T1G
| Fabricantes: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Ficha técnica: | NSV60101DMR6T1G |
| Descripción: | 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE( |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 530mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Frecuencia - Transición | 200MHz |
| Paquete de dispositivos de proveedores | SC-74 |
| Vce Saturation (Max) - Ib, Ic | 200mV @ 100mA, 1A |
| Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 1A |
| Corriente - Corte del colector (máx.) | 100nA (ICBO) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce | 250 @ 100mA, 5V |
| Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 60V |
En stock 57 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.14 | $0.14 | $0.13 |
Mínimo: 1
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