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NSTB60BDW1T1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica: NSTB60BDW1T1G
Descripción: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.25W SC88
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Cut Tape (CT)
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 250mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo de transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Número de pieza base NSTB60B
Resistencia - Base (R1) 22kOhms
Frecuencia - Transición 140MHz
Paquete de dispositivos de proveedores SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistencia - Base emisora (R2) 47kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 150mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 5876 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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