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NSM21356DW6T1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica: NSM21356DW6T1G
Descripción: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 230mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo de transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Resistencia - Base (R1) 47kOhms
Frecuencia - Transición -
Paquete de dispositivos de proveedores SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistencia - Base emisora (R2) 47kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V, 65V

En stock 97 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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