NSBC115EPDXV6T1G
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Ficha técnica: | NSBC115EPDXV6T1G |
Descripción: | SS SOT563 RSTR XSTR TR |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 357mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | SOT-563, SOT-666 |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistencia - Base (R1) | 100kOhms |
Frecuencia - Transición | - |
Paquete de dispositivos de proveedores | SOT-563 |
Resistencia - Base emisora (R2) | 100kOhms |
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 100mA |
Corriente - Corte del colector (máx.) | 500nA |
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
En stock 96 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.07 | $0.07 | $0.07 |
Mínimo: 1