La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
NSBC115EPDXV6T1G
| Fabricantes: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Ficha técnica: | NSBC115EPDXV6T1G |
| Descripción: | SS SOT563 RSTR XSTR TR |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 357mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | SOT-563, SOT-666 |
| Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Resistencia - Base (R1) | 100kOhms |
| Frecuencia - Transición | - |
| Paquete de dispositivos de proveedores | SOT-563 |
| Resistencia - Base emisora (R2) | 100kOhms |
| Vce Saturation (Max) - Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 100mA |
| Corriente - Corte del colector (máx.) | 500nA |
| Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
En stock 96 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.07 | $0.07 | $0.07 |
Mínimo: 1
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