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NSBC115EPDXV6T1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica: NSBC115EPDXV6T1G
Descripción: SS SOT563 RSTR XSTR TR
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie Automotive, AEC-Q101
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 357mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-563, SOT-666
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistencia - Base (R1) 100kOhms
Frecuencia - Transición -
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-563
Resistencia - Base emisora (R2) 100kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

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