NSBA123JDXV6T1G
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Ficha técnica: | NSBA123JDXV6T1G |
Descripción: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Serie | - |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Estado de la pieza | Obsolete |
Potencia - Máx. | 500mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | SOT-563, SOT-666 |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Número de pieza base | NSBA1* |
Resistencia - Base (R1) | 2.2kOhms |
Frecuencia - Transición | - |
Paquete de dispositivos de proveedores | SOT-563 |
Resistencia - Base emisora (R2) | 47kOhms |
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 100mA |
Corriente - Corte del colector (máx.) | 500nA |
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
En stock 70 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1