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NSBA123EF3T5G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: NSBA123EF3T5G
Descripción: TRANS PREBIAS DUAL PNP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 254mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-1123
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Resistencia - Base (R1) 2.2 kOhms
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-1123
Resistencia - Base emisora (R2) 2.2 kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 79 pcs

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