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NJX1675PDR2G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Ficha técnica: NJX1675PDR2G
Descripción: TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 2W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo de transistor NPN, PNP
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 100MHz, 120MHz
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SOIC
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 3A
Corriente - Corte del colector (máx.) 100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 180 @ 1A, 2V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 30V

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