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NJVNJD35N04G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica: NJVNJD35N04G
Descripción: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK-4
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Empaquetado Tube
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 45W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo de transistor NPN - Darlington
Número de pieza base NJD35N04
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 90MHz
Paquete de dispositivos de proveedores DPAK
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 1.5V @ 20mA, 2A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 4A
Corriente - Corte del colector (máx.) 50µA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 2000 @ 2A, 2V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 350V

En stock 160 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.92 $0.90 $0.88
Mínimo: 1

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