NJVMJD112G
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
Ficha técnica: | NJVMJD112G |
Descripción: | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
Serie | - |
Empaquetado | Tube |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 1.75W |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Tipo de transistor | NPN - Darlington |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frecuencia - Transición | 25MHz |
Paquete de dispositivos de proveedores | DPAK |
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 2A |
Corriente - Corte del colector (máx.) | 20µA |
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 100V |
En stock 54 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.39 | $0.38 | $0.37 |
Mínimo: 1