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NJVMJD112G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica: NJVMJD112G
Descripción: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Empaquetado Tube
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 1.75W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo de transistor NPN - Darlington
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 25MHz
Paquete de dispositivos de proveedores DPAK
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 2A
Corriente - Corte del colector (máx.) 20µA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 100V

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