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NJVBUB323ZT4G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica: NJVBUB323ZT4G
Descripción: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 150W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tipo de transistor NPN - Darlington
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 175°C (TJ)
Frecuencia - Transición 2MHz
Paquete de dispositivos de proveedores D2PAK-3
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 1.7V @ 250mA, 10A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 10A
Corriente - Corte del colector (máx.) 100µA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 500 @ 5A, 4.6V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 350V

En stock 72 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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