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NGTD30T120F2WP

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: NGTD30T120F2WP
Descripción: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Empaquetado Bulk
Tipo de entrada Standard
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso Die
Condición de la prueba -
Cambio de energía -
Td (encendido/apagado) a 25oC -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores Die
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 200A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1200V

En stock 97 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.29 $2.24 $2.20
Mínimo: 1

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