La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
NGTD21T65F2WP
| Fabricantes: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - IGBTs - Single |
| Ficha técnica: | NGTD21T65F2WP |
| Descripción: | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Empaquetado | Bulk |
| Tipo de entrada | Standard |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | Die |
| Condición de la prueba | - |
| Cambio de energía | - |
| Td (encendido/apagado) a 25oC | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | Die |
| Vce(on) (Max) á Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 45A |
| Corriente - Colector Pulsado (Icm) | 200A |
| Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 650V |
En stock 70 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.77 | $1.73 | $1.70 |
Mínimo: 1
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