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NGTB35N65FL2WG

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: NGTB35N65FL2WG
Descripción: IGBT 650V 70A 300W TO247
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Empaquetado Tube
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 125nC
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 300W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Condición de la prueba 400V, 35A, 10Ohm, 15V
Cambio de energía 840µJ (on), 280µJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC 72ns/132ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2V @ 15V, 35A
Tiempo de recuperación inversa (trr) 68ns
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 70A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 120A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 650V

En stock 73 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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