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NDC652P

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: NDC652P
Descripción: MOSFET P-CH 30V 2.4A SSOT6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) -20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 110mOhm @ 3.1A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.6W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SuperSOT™-6
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 20nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 290pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2.4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 53 pcs

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