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NCV5701BDR2G
| Fabricantes: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | PMIC - Gate Drivers |
| Ficha técnica: | NCV5701BDR2G |
| Descripción: | HIGH CURRENT IGBT GATE DR |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoría de producto | PMIC - Gate Drivers |
| Serie | - |
| Tipo de puerta | IGBT |
| Tipo de entrada | Inverting |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de canal | Single |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Voltaje - Suministro | 20V |
| Número de conductores | 1 |
| Configuración impulsada | High-Side or Low-Side |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Tiempo de subida/caída (típico) | 9.2ns, 7.9ns |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 8-SOIC |
| Voltaje lógico - VIL, VIH | 0.75V, 4.3V |
| Corriente - Salida máxima (Fuente, Sumidero) | 20mA, 15mA |
En stock 71 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.73 | $0.72 | $0.70 |
Mínimo: 1
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