La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
MVB50P03HDLT4G
| Fabricantes: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | MVB50P03HDLT4G |
| Descripción: | INTEGRATED CIRCUIT |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | P-Channel |
| Vgs (máx.) | ±15V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 25mOhm @ 25A, 5V |
| Disipación de energía (máx.) | 125W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | D2PAK-3 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 100nC @ 5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 4.9nF @ 25V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 50A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
En stock 80 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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