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MUN5213DW1T3G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica: MUN5213DW1T3G
Descripción: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 250mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Número de pieza base MUN52**DW1T
Resistencia - Base (R1) 47kOhms
Frecuencia - Transición -
Paquete de dispositivos de proveedores SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistencia - Base emisora (R2) 47kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 71 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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