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MJE802G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica: MJE802G
Descripción: TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Empaquetado Bulk
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 40W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-225AA, TO-126-3
Tipo de transistor NPN - Darlington
Número de pieza base MJE802
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición -
Paquete de dispositivos de proveedores TO-225AA
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 2.5V @ 30mA, 1.5A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 4A
Corriente - Corte del colector (máx.) 100µA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 750 @ 1.5A, 3V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 80V

En stock 1150 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.62 $0.61 $0.60
Mínimo: 1

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