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MJD122T4G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica: MJD122T4G
Descripción: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 1.75W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo de transistor NPN - Darlington
Número de pieza base MJD122
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 4MHz
Paquete de dispositivos de proveedores DPAK
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 4V @ 80mA, 8A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 8A
Corriente - Corte del colector (máx.) 10µA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 1000 @ 4A, 4V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 100V

En stock 1565 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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