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MJ11030G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica: MJ11030G
Descripción: TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Empaquetado Tray
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 300W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-204AE
Tipo de transistor NPN - Darlington
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 200°C (TJ)
Frecuencia - Transición -
Paquete de dispositivos de proveedores TO-3
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 3.5V @ 500mA, 50A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 50A
Corriente - Corte del colector (máx.) 2mA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 1000 @ 25A, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 90V

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