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MJ11016G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica: MJ11016G
Descripción: TRANS NPN DARL 120V 30A TO3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Empaquetado Tray
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 200W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-204AA, TO-3
Tipo de transistor NPN - Darlington
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 200°C (TJ)
Frecuencia - Transición 4MHz
Paquete de dispositivos de proveedores TO-204 (TO-3)
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 4V @ 300mA, 30A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 30A
Corriente - Corte del colector (máx.) 1mA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 1000 @ 20A, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 120V

En stock 132 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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