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IRLW610ATM
| Fabricantes: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | IRLW610ATM |
| Descripción: | MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.65A, 5V |
| Disipación de energía (máx.) | 3.1W (Ta), 33W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | I2PAK (TO-262) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 9nC @ 5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 200V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 240pF @ 25V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 3.3A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
En stock 91 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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