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IRLI610ATU

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRLI610ATU
Descripción: MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.65A, 5V
Disipación de energía (máx.) 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores I2PAK (TO-262)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 9nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 240pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 5V

En stock 54 pcs

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