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HUF75617D3ST

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: HUF75617D3ST
Descripción: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie UltraFET™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 90mOhm @ 16A, 10V
Disipación de energía (máx.) 64W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-252AA
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 39nC @ 20V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 570pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 16A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 64 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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