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HGTP7N60A4D

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: HGTP7N60A4D
Descripción: IGBT 600V 34A 125W TO220AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT -
Empaquetado Tube
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 37nC
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 125W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Condición de la prueba 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Número de pieza base HGTP7N60
Cambio de energía 55µJ (on), 60µJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC 11ns/100ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220-3
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A
Tiempo de recuperación inversa (trr) 34ns
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 34A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 56A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V

En stock 75 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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