La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

HGTP5N120BND

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: HGTP5N120BND
Descripción: IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT NPT
Empaquetado Tube
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 53nC
Estado de la pieza Not For New Designs
Potencia - Máx. 167W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Condición de la prueba 960V, 5A, 25Ohm, 15V
Cambio de energía 450µJ (on), 390µJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC 22ns/160ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220-3
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.7V @ 15V, 5A
Tiempo de recuperación inversa (trr) 65ns
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 21A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 40A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1200V

En stock 99 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.29 $1.26 $1.24
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IKD15N60RAATMA1
Infineon Technologies
$1.28
AOB15B60D
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$1.28
ISL9V3036S3ST
ON Semiconductor
$0
AOT20B65M1
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$1.27
IRGC4064B
Infineon Technologies
$1.23